王東來居然會進免費。

過，衆很也都反應過來，這半圖eda軟件性能般。

被國際eda聯盟點名質疑，銀科技得拿自己研發圖軟件，而為擴用戶，就選擇免費。

這麼，邏輯嚴密理。

而衆如此着時候，王東來再次開起來。

“說完這兩件事，接來，就開始學術交流，先來抛磚引玉，講解先進封裝設計。”

随着王東來這句話說，原本些吵鬧廳頓時變得無比靜來。

衆都對王東來研發先進封裝設計方案而到好奇。

現，好容易王東來分享機會，衆自然會錯過，紛紛豎起朵聽起來。

“都，所以些簡單概就說。”

“摩爾定律，就着先進制程開發成本制造成本會越來越，疊代也會耗費更長時間，這樣就會導緻量公司無法具備更制程芯片制造，造成為壟斷。”

“制程藝發展受限後摩爾定律時代，先進封裝技術通過優化芯片間互連，系統層面實現算力、功耗集成度等方面突破，突破摩爾定律發展方向。”

“先進封裝包括bup(凸點凸塊），

rdl（再布線），

wafer（晶圓）wlp，

tsv（矽通孔）素，素組形成同藝，如倒裝fc，晶圓級封裝wlp，

d，d封裝等等”

“傳統芯片通過引線實現芯片pad框架之間電氣連接，而先進封裝用凸點凸塊替代引線進連接，從而縮電流徑物理尺寸。”

“……”

“再布線技術以實現引腳布局，滿更芯片管腳需求。rdl再布線技術以實現芯片平方向互連，規劃連線途徑，變換芯片初始設計io焊盤位置排列，調為互連結構。”

“……”

“先進封裝技術如d堆疊d集成，依賴于晶圓作為基礎來實現更集成度。晶圓先進封裝僅芯片載體，還作為rdltsv等互連技術介質，這些技術晶圓級别實現更複雜電布局更io密度。”

“……”

“而tsv則芯片芯片之間，晶圓晶圓之間制作垂直導通孔并填充屬等導電材料來實現芯片垂直互連，首先利用反應離子刻蝕（drie）制作tsv孔，等離子增強化學氣相沉積（pecvd）制作介電層，物理氣相沉積（pvd）制作阻擋層種子層、電鍍銅（cu）填孔，化學機械抛（p）除餘屬。d集成時，還需進晶圓減晶鍵。”

“……”

王東來台侃侃而談，面衆則聚精會神聽着。