n麽概？用對比就很清晰，個矽原子才n。n都沒個矽原子起，也就說，n芯片晶體管結構柵極線寬，僅夠兩個矽原子並列，個都擠。

從當理論來，n芯片已矽基芯片理論極限，因為到這個制程藝，量子隧穿效應將無法避免，簡單來說，就電子會從個晶體管無法控制向另個晶體管，使得晶體管“”“”狀態混亂起來，導緻該晶體管失效，芯片也就自然無法正常作。

其實n制程時，量子隧穿效應已定機率現，隻通過特殊結構來解決罷，但這樣結果就功耗加，芯片發熱量增加。

而且這樣結構到n時，因為量子隧穿效應發率太而失效，能耗與發熱量都超過以接受範圍。

當然，理論斷進化，據說ib與久就聲稱研究所謂“vtfet技術”，即“垂直傳輸場應晶體管技術”，以垂直方式堆疊晶體管，讓芯片電流以垂直方式進流通，以此減量子隧穿效應，進而將矽基芯片制藝推進到n以內。

然而這更像拿著完善實驗數據來吹噓，提吸引場關注、提振股價，距離實驗成果還遙遠距離。

正因為目最成熟矽基芯片都無法解決n芯片量子隧穿效應，秦克對這份s級識充滿興奮，很係統識裏，如何解決這個量子層面難題。

而這篇《種適用於n芯片全型碳晶複納米材料制作全流程》裏提及到碳晶複納米材料，確實也給非常驚。

雖然沒法子全部，但成內容秦克還能弄懂，關鍵技術細節部分懂也能能猜個概。

越越精神振奮。

係統這份s級識核“碳晶複納米材料”，這碳基線型材料。

碳基芯片並麽概，各國都加力度來研究這個方向，代表就墨烯芯片。

當科學們發現矽基芯片已幾乎將“摩爾定律”折騰到失效，就開始從芯片材料著，嚐試尋替代矽基材料型材料，目主流就碳基材料，已研究成果。

最名基於碳n型半導體、p型半導體，以及碳納米管場效應晶體管。

國這方面彎超車，世界列。秦克初時從《物理學報》到篇由姚文、方世驥寫《基於源晶體管物理機制亞器件模擬研究》，裏面提及到就“迪拉克源晶體管”也屬於碳納米管場效應晶體管材料之。

但包括國內，這些碳基材料技術數並成熟，隻能留實驗階段。來至今未能完全解決維材料阻、電流問題，來業化産比矽基芯片難很。

眾所周，碳納米管需對碳原子進提純，但碳比較活潑，對提純難度很，目能業化産碳納米管最提純度隻，而碳基芯片性能穩定，純度必須保證以。這著場根本就無法提供能制作芯片格碳納米管。

碳基芯片制作難點還元件組裝問題，即晶圓均勻擺放碳納米管，但精確定位連接碳納米管非常困難，目技術遠遠無法突破。

而這份s級識裏碳晶複納米材料，以墨烯加镓、銦、鉍、鍺、鉬、鉿、鈀、鈧、釔等種屬元素及其氧化物，組成維體全型碳納米管材料，因為形狀像結晶，稱之為“碳晶複納米材料”。

完美解決述兩個問題。

首先因為特殊結構特點，使得遊離碳原子特別，制造來碳晶複納米材料本純度就能達到個，遠遠超過碳基芯片性能穩定求，需次提純。

而且酷似結晶完美維體結構，裏面包含種屬及其氧化物組成漏極、源極、接觸電極、絕緣材料，能夠幅電阻提電流，還能夠效減量子隧穿效應響。

元件組裝問題同樣很好解決，特殊維結構使得以輕松相互吸收，齊排列為完美直線，以輕松制造超過英寸尺度晶圓片。

《仙奇緣》

但這些優點，“碳晶複納米材料”還稱“s級識”。

“碳晶複納米材料”最優點，能實現電荷量子比特普適量子邏輯門操控，即能用於量子芯片制造。

“碳晶複納米材料”本維特殊結構，使得組成晶圓並蝕刻特定電後，通過激激發，就能使“碳晶複納米材料”兩端“倉庫”能同時儲現糾纏量子信息及對應邏輯門，也就“”、“非”“或非”種邏輯狀態。

這居然種能同時完美兼容碳基芯片與量子芯片逆材料！

“碳晶複納米材料”制造方法被係統評定為s級識真正原因就於此！

惜這份s級識裏並沒提及如何將“碳晶複納米材料”制作成量子芯片。